败不一定是成功之母，但是好产品一定是从Bug里面改出来的。”
姜钱鼻子一算，差点就流泪了。
知己啊。
国人总是恨铁不成钢，觉得他们这些搞科技的不给力。
却从来不想想他们的艰难境况。
就拿盛京拓棘的aLd（原子层薄膜沉积）设备来说，这项技术的诞生最早可以追溯到2o世纪六、七十年代。
2oo7年底，Inte1公司推出了基于45纳米节点技术的酷睿处理器。
次将aLd技术沉积的高介电常数材料和金属栅组合引入到集成电路芯片制造中。
顺利将摩尔定律延续至当下最先进的5纳米鳍式晶体管工艺制程。
并将继续支撑集成电路制造技术延续到3纳米和2纳米的全环绕栅极晶体管技术。
然而，由于栅氧层对场效应晶体管性能的直接影响，这道工艺制程对aLd设备的要求极高。
全球范围内也只有极少数国外的知名半导体设备公司能够提供满足此工艺要求的aLd设备。
此项技术因此也处于被绝对垄断的状态。
拓棘科技的技术团队克服了重重困难，经过多年的潜心钻研和大量的实验验证，终于突破了限制该工艺制程的多个技术瓶颈，成功开出了可用于沉积high-??栅氧层薄膜的新一代aLd量产设备。
然而，这些设备却卖不出去。
只有少部分郑府侧的需求方下了点订单。
原因非常的简单，那就是它质量和性能比不上进口设备。
而且，由于技术成本的缘故，它价格还不比进口的便宜。
这就非常的尴尬了。