导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(mmp)的一半来算，mmp减少开始变缓；
偏偏3d化后，晶体管数量依旧激增，这样就显示不出工艺进步了。
于是……
下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短o.7，则面积缩小一半(o.7xo.7＝o.5)这样的一个形式来简化计算。
什么叫简化计算……
即，2oxo.7＝14。
再然后是14→1o→7→5→3。
那么实际上mmp减少了多少呢？
以台积电为例，从1o纳米到7纳米，mmp从44纳米降到了4o纳米。
只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14nm+、++、+++上停滞不前。
英特尔甚至想说一句：不标准的命名规则都特么是耍流氓。
这也是从终端用户角度上，更先进制程的突破，体验感并未成倍数突破的原因。
甚至可以说，英特尔的14nm+++≈广泛意义上的7nm。
因为两者每平方毫米晶体管数量基本相等。
综上……
方年之所以毫不犹豫a11 iuV。
是因为这特么眨巴眼的功夫，就必须要用到euV了。
在方年重生之前，别说瓦森纳、禁运这些，就唯一可以生产euV的asmL手头上握着起码能排到五年后的订单。
原因十分简单：产不出来。
方年既然有理想有抱负，怎么可能在这里不来一手准备？
现在开始a11 iuV，起码五年十年后，梼杌是能搞出来点东西的。
euV(极紫外)的光源波长直接就从193纳米跳到了1o~14纳米之间的，目前研究资料表明，13.5nm波长是可用性最高的。
这样一来，在尖端光刻领域，就有了话语权。
稍顿，苗为沉吟
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