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第三十九章 载流子迁移率(第1/4页)
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    周日。

    许秋来到实验室。

    段云正戴着耳机专心码字,陈婉清则在桌位上整理着纸质文献。

    许秋先和段云打了声招呼,然后走到陈婉清旁边坐下。

    “学姐,pen基底的事有消息了吗?”

    “嗯嗯,我联系了几家做光电材料的厂家,其中一家有现成的pen基底,”陈婉清道:“不过他们只做大面积的基底,最少要买1米乘1o米,我就按最小的规格买了,估计一周之内就能到。”

    “大面积的基底,”许秋问道:“指的是一整张1o平方米面积的pen基底,上面均匀镀有ITo吗?”

    “没错。”陈婉清道。

    “可我们用的玻璃基片上ITo是有图案的啊。”许秋道。

    “那么就需要先将大块的基片裁剪为一平方英寸的小片,然后再把不需要的ITo蚀刻掉,得到图案化的ITo基底。”陈婉清道。

    “好吧,我明白了,”许秋道:“那学姐有现成的蚀刻条件吗?”

    “好像没有哦。”陈婉清歪头想了想道。

    “好像?”许秋在心里嘀咕了一句,说道:“好吧,那我找找看。”

    他掏出电脑,再次翻看那几篇柔性衬底的文献。

    很快,他就在其中一篇文献的实验信息部分,看到了他们给出的蚀刻ITo的条件:

    在2摩尔每升的稀盐酸中加入锌粉,随后放入ITo基片,与溶液接触的部分将被蚀刻掉。

    不过,现在pen/ITo基片还没有到,他只能先把这个方法记下,然后向陈婉清汇报:

    “学姐,我找到ITo的蚀刻方法了。”

    “这么快就找到啦,让我看看。”陈婉清凑过头,看了看许秋的电脑。

    “我想起来了,这是经典的湿法蚀刻方法,我记得还有一种干法蚀刻……”看到许秋在盯着她看,陈婉清小声说道:

    “如果我说我刚刚真的没想起

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