之后的几天，许秋又做了两批器件，一批是重复pen基片的，另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。
pTB7-Th体系中，pen基片的最高效率提高了一点点，达到了8.2o%。
而玻璃基片下的标准样品，最高效率可达1o.26%。
这个数值，相比于他之前在模拟实验室中得到的1o.68%，稍差一些，可能是器件结构不同造成的。
pen基片不能高温热退火，所以用的是pedoT:pss传输层的正常结构，而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。
此外，虽然重点在于pTB7-Th体系，但是许秋也做了p3hT体系。
主要是为了让文章数据更加丰满一些，同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。
再之后，许秋完成了各种表征测试，包括光吸收光谱、荧光光谱、ceLIV测试等，还拍了一张用两只镊子弯曲pen基片器件的照片。
在实验进行的间隙，许秋也在同步以论文的形式，写项目的结题报告。
这个时候，他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了，再加上他还可以随时向学姐请教。
因此中文论文写起来压力并不大。
正文部分，许秋先将四组器件编号，pen基片的pTB7-Th、p3hT体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。
然后，主要就是比较玻璃和pen这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因。
像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的。
所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。
比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在55o-75o纳米，最高吸收峰位置在68o纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在3oo-
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