十年代研发的1微米前道光刻机相比于进口产品，效率一直差得比较多，就是这个原因，所以为了提高生产效率，孙祖杰很早就想到了阿斯麦的双工作台。
双工作台系统，使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作，并在第一时间得到结果反馈，这样生产效率可以提高大约 35%，精度提高 1o%以上。
但是双工件台系统虽然仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑，对工作台转移速度和精度有非常高的要求。
华国工程师从磁悬浮技术得到启示，利用华国在永磁体领域的领先，正在全力开发磁悬浮工作台，目前实验研究已经有了不小的突破，实验发现精度确实有了不小的提高。
现在有了193nmarF光源，有了浸没式光学镜头，又有了双工作台的突破，专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋，欧派微芯完全可以直接攻关o.1微米左右线程的浸没式光刻机。
因为使用 193nmarF光源的浸没式光刻机，波长直接缩短为134nm，这样新型光刻机可以直接从o.1nm左右线程起步，再通过光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点甚至可达 28nm。
要知道在1997年，此时主流的光刻机线程也不过o.25微米，采用的还是krF248 nm光源。而倭国正在研发的193nm乾式光刻机线程也仅仅是o.18微米，下一步才是o.13微米，9onm。
也就是说采用另外一条技术路线的华国人有3到5年的宝贵追赶时间，有这个时间应该有机会取得突破。
只要这款光刻机被攻克，华国就很可能实现弯道超车，为此赌一把绝对是值得的，毕竟华投有了相应的技术积累。
除此之外，还有一个好处，那就是采用193nm乾式光刻机到了65nm左右时，差不多快到极限了，而采用华国路线，线程可以直接到达3onm左右，
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